SOT‑MRAM 凭借低功耗、高速读写、高耐久性等优势，是下一代非易失存储器极具潜力的技术路线。传统 SOT‑MRAM实现垂直磁化确定性翻转往往需要外部磁场辅助；而各类无场翻转方案大多存在薄膜稳定性差、隧穿势垒可靠性下降、难以兼容晶圆级 CMOS 后端工艺等现实问题，制约器件走向实际应用。

近日，南京大学物理学院丁海峰教授、缪冰峰教授课题组在无外场 SOT‑MRAM研究领域取得重大进展，相关成果发表于《Nature Communications》

论文标题：

All electrical sub‑nanosecond field‑free switching of perpendicular magnetization with high magnetic field immunity（DOI：10.1038/s41467‑026‑76903‑8）

针对 SOT‑MRAM 实用化的多重瓶颈，南京大学研究团队创新性采用两路正交电流驱动方案，仅利用常规重金属自旋霍尔材料，实现全电学亚纳秒尺度无外磁场垂直磁化翻转。在本项研究中，高质量 T 磁性多层异质薄膜是构建 SOT 器件、实现高效自旋轨道转矩的核心基础，团队使用探普（南京）工业科技有限公司（TEMP Nanjing Industrial Technology）自研磁控溅射系统 完成整套磁性多层膜的沉积制备。稳定可控的镀膜工艺，制备出具备优异垂直磁各向异性的多层薄膜，为后续器件加工、磁化翻转物理实验提供了坚实的材料基础。

探普科技自研磁控溅射设备，可用于磁性多层膜、自旋电子异质结、功能金属薄膜的制备，能够稳定输出高质量、高一致性薄膜样品，广泛服务自旋电子、磁性材料、量子信息等前沿科研领域。

作为国产真空薄膜设备研发制造企业，探普科技持续深耕超高真空磁控溅射装备研发，为国内高校、科研院所提供高性能设备与定制化工艺解决方案，助力更多高水平科研成果落地。

再次祝贺南京大学丁海峰、缪冰峰团队取得重磅科研成果！期待 SOT‑MRAM 技术加速从实验室走向产业化应用🚀